IR公司成立于1947，英文全稱是International Rectifier，中文名是國際整流器公司，IR是主要的全球電源半導(dǎo)體供應(yīng)商，其產(chǎn)品通過轉(zhuǎn)換電能來操作各種電源、照明鎮(zhèn)流器和電機(jī)傳動系統(tǒng)。IR憑借已獲專利的 HEXFET 功率 MOSFET 和 IGBT 產(chǎn)品，成為全球場效應(yīng)晶體管行業(yè)的領(lǐng)導(dǎo)者。IR的模擬和混合信號集成電路、先進(jìn)的電路器件、集成電源系統(tǒng)及元件使得高性能計(jì)算和降低電機(jī)（全球最大的電力消耗設(shè)備）能耗成為可能。全球領(lǐng)先的計(jì)算機(jī)、節(jié)能電器、照明、汽車、衛(wèi)星、飛行器及國防系統(tǒng)制造商都依賴IR的電源管理基準(zhǔn)為其新一代產(chǎn)品提供動力。我們是國際整流器IR公司授權(quán)的IR代理商合作伙伴，百分百中國IR代理商一級代理貨源，提供IR國際整流器公司產(chǎn)品、方案、選型、新聞等，是中國最大的IR代理商。IR公司致力于提供滿足甚至超過客戶預(yù)期的高質(zhì)量和可靠的半導(dǎo)體解決方案。自1979年推出首款HEXFET以來，國際整流器公司一直處于功率MOSFFET設(shè)計(jì)與創(chuàng)新的前沿。IR提供了一個廣泛的IGBT產(chǎn)品系列，電壓范圍300V至1200V，采用可以將開關(guān)和導(dǎo)通損耗最小化的多種技術(shù)來提高效率、減少散熱問題并提高功率密度。
自1979年推出首款HEXFET 以來，國際整流器公司一直處于功率MOSFFET設(shè)計(jì)與創(chuàng)新的前沿。公司廣泛的產(chǎn)品系列包括堅(jiān)固的單通道、雙通道、N通道和P通道器件，提供了快速的開關(guān)速度并滿足了從AC-DC和DC-DC電源到消費(fèi)類電子和從電機(jī)控制到照明及家電的各種應(yīng)用中的不同功率要求。
IR提供了一個廣泛的IGBT產(chǎn)品系列，電壓范圍300V至1200V，采用可以將開關(guān)和導(dǎo)通損耗最小化的多種技術(shù)來提高效率、減少散熱問題并提高功率密度。公司還提供了廣泛的IGBT模塊，專門設(shè)計(jì)用于中高端的電源模塊。對于要求最高可靠性的模塊，可以采用焊前金屬（SFM）模塊，以省去繞線，進(jìn)而允許雙面制冷，從而提高了散熱性能、可靠性和效率。
國際整流器公司在功率半導(dǎo)體集成方面的豐富經(jīng)驗(yàn)使得公司有能力開發(fā)出一系列可以構(gòu)建功率級所需元件數(shù)量最小化功率模塊。我們提供了參考設(shè)計(jì)和支持工具對這些模塊進(jìn)行支持，并且進(jìn)一步簡化了家用電器和工業(yè)應(yīng)用中電源設(shè)計(jì)的實(shí)現(xiàn)。
國際整流器公司（IR）的固態(tài)繼電器范圍包括HEXFET 功率MOSFET和IGBT輸出，用于轉(zhuǎn)換低電平信號負(fù)載的光電繼電器和隔離器，為設(shè)計(jì)者創(chuàng)建其自己的繼電器提供了靈活性。
2014年8月20日，英飛凌科技股份公司以約 30 億美元現(xiàn)金收購了IR國際整流器公司。英飛凌與國際整流器公司的產(chǎn)品組合具有很強(qiáng)的互補(bǔ)性。國際整流器公司低功率、節(jié)能絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 和智能功率模塊、功率場效應(yīng)晶體管 (MOSFET) 以及數(shù)字功率管理芯片方面的專門技術(shù)將與英飛凌功率設(shè)備和模塊產(chǎn)品實(shí)現(xiàn)完美結(jié)合。
英飛凌和國際整流器公司強(qiáng)力整合，在以下方面為客戶提供巨大價值：
更強(qiáng)大的技術(shù)支持
借助于國際整流器，英飛凌在美國這樣一個創(chuàng)新中心，尤其是在互聯(lián)領(lǐng)域，強(qiáng)化了戰(zhàn)略布局。英飛凌將進(jìn)一步鞏固在亞洲這個重要市場的地位。分銷渠道的增加有利于英飛凌服務(wù)于更大范圍的客戶群。
更廣泛的技術(shù)支持
國際整流器公司在低功率、高能效IGBT和智能功率模塊、功率MOSFET以及數(shù)字電源管理芯片方面具備的專業(yè)知識將與英飛凌的電源器件和模塊系列完美地結(jié)合在一起。更寬廣的產(chǎn)品系列使我們成為一站式合作伙伴，能夠在能源效率、移動性和安全性方面提供更廣泛的產(chǎn)品與解決方案。
更全面的先進(jìn)解決方案
英飛凌收購的是在氮化鎵功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的領(lǐng)先供應(yīng)商。這使英飛凌可以加速實(shí)現(xiàn)基于氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)的化合物半導(dǎo)體技術(shù)發(fā)展藍(lán)圖。在硅基，碳化硅和氮化鎵等功率器件領(lǐng)域，客戶將獲得寬廣的更豐富的先進(jìn)解決方案。此外，國際整流器全面的單晶片和多晶片封裝解決方案將加強(qiáng)英飛凌的封裝系列。
