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SI4435DYTR
制造廠商:IR(國際整流器公司)
類別封裝:單端場效應(yīng)管,8-SO
技術(shù)參數(shù):MOSFET P-CH 30V 8A 8-SOIC
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(您可通過電話、微信、QQ或郵件與銷售代表聯(lián)系詢價及采購)
技術(shù)參數(shù)詳情:
制造商產(chǎn)品型號:SI4435DYTR制造廠家名稱:IR(International Rectifier)已被英飛凌INFINEON收購描述:MOSFET P-CH 30V 8A 8-SOIC系列:HEXFETFET 類型:MOSFET P 通道,金屬氧化物FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓 (Vdss):30V電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25°C 時):8A(Tc)不同 Id、Vgs 時的 Rds On(最大值):20 毫歐 @ 8A,10V不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1V @ 250μA不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg):60nC @ 10V不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss):2320pF @ 15V功率 - 最大值:2.5W安裝類型:表面貼裝產(chǎn)品封裝:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)供應(yīng)商器件封裝:8-SO現(xiàn)在可以訂購SI4435DYTR,國內(nèi)庫存當天發(fā)貨,國外庫存7-10天內(nèi)發(fā)貨。
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