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產(chǎn)品參考圖片

IRFHE4250DTRPBF

制造廠商：IR（國際整流器公司）

類別封裝：場效應(yīng)管陣列，32-PQFN

技術(shù)參數(shù)：MOSFET 2N-CH 25V 86A/303A PQFN

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技術(shù)參數(shù)詳情：

制造商產(chǎn)品型號(hào)：IRFHE4250DTRPBF

制造廠家名稱：IR（International Rectifier）已被英飛凌INFINEON收購

描述：MOSFET 2N-CH 25V 86A/303A PQFN

系列：FASTIRFET

FET 類型：2 個(gè) N 溝道（雙）

FET 功能：邏輯電平門

漏源極電壓 (Vdss)：25V

電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25°C 時(shí)）：86A，303A

不同 Id、Vgs 時(shí)的 Rds On（最大值）：2.75 毫歐 @ 27A， 10V

不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大值）：2.1V @ 35μA

不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg)：20nC @ 4.5V

不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss)：1735pF @ 13V

功率 - 最大值：156W

安裝類型：表面貼裝

產(chǎn)品封裝：32-PowerWFQFN

供應(yīng)商器件封裝：32-PQFN （6x6）

現(xiàn)在可以訂購IRFHE4250DTRPBF，國內(nèi)庫存當(dāng)天發(fā)貨，國外庫存7-10天內(nèi)發(fā)貨。

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