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IRF6662TR1PBF
產(chǎn)品參考圖片
IRF6662TR1PBF
制造廠商:
IR(國(guó)際整流器公司)
類(lèi)別封裝:
單端場(chǎng)效應(yīng)管,DIRECTFET
技術(shù)參數(shù):
MOSFET N-CH 100V 8.3A DIRECTFET
(專(zhuān)注銷(xiāo)售IR電子元器件,承諾原裝!現(xiàn)貨當(dāng)天發(fā)貨。
(您可通過(guò)電話、微信、QQ或郵件與銷(xiāo)售代表聯(lián)系詢價(jià)及采購(gòu))
點(diǎn)擊下圖下載技術(shù)文檔
技術(shù)參數(shù)詳情:
制造商產(chǎn)品型號(hào):IRF6662TR1PBF
制造廠家名稱(chēng):IR(International Rectifier)已被英飛凌INFINEON收購(gòu)
描述:MOSFET N-CH 100V 8.3A DIRECTFET
系列:HEXFET
FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 功能:標(biāo)準(zhǔn)
漏源極電壓 (Vdss):100V
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25°C 時(shí)):8.3A(Ta),47A(Tc)
不同 Id、Vgs 時(shí)的 Rds On(最大值):22 毫歐 @ 8.2A,10V
不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):4.9V @ 100μA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg):31nC @ 10V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss):1360pF @ 25V
功率 - 最大值:2.8W
安裝類(lèi)型:表面貼裝
產(chǎn)品封裝:DirectFET 等容 MZ
供應(yīng)商器件封裝:DIRECTFET MZ
現(xiàn)在可以訂購(gòu)
IRF6662TR1PBF
,國(guó)內(nèi)庫(kù)存當(dāng)天發(fā)貨,國(guó)外庫(kù)存7-10天內(nèi)發(fā)貨。
IRU1010CP
IRDC3831
IRFS4610TRLPBF
IRL520NSTRR
IRFZ48VPBF
IRL540NPBF
IRFR4510TRPBF
PVI5080NS
IRAM336-025SB
IR芯片(國(guó)際整流器公司)全球現(xiàn)貨供應(yīng)鏈管理專(zhuān)家,
IR代理商
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