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產(chǎn)品參考圖片

IRF200B211

制造廠商：IR（國際整流器公司）

類別封裝：FET - 單，TO-220-3

技術(shù)參數(shù)：MOSFET N-CH 200V 12A TO-220AB

（專注銷售IR電子元器件，承諾原裝！現(xiàn)貨當(dāng)天發(fā)貨�。�

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技術(shù)參數(shù)詳情：

制造商產(chǎn)品型號: IRF200B211

制造廠家名稱: International Rectifier(已被英飛凌收購)

功能總體簡述: MOSFET N-CH 200V 12A TO-220AB

系列: HEXFET，StrongIRFET

FET 類型: MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET 功能: 標(biāo)準(zhǔn)

漏源極電壓（Vdss）: 200V

電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）: 12A（Tc）

不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）: 170 毫歐 @ 7.2A，10V

不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）: 4.9V @ 50μA

不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）: 23nC @ 10V

不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）: 790pF @ 50V

功率 - 最大值: 80W

安裝類型: 通孔

產(chǎn)品封裝: TO-220-3

供應(yīng)商器件封裝: TO-220AB

現(xiàn)在可以訂購IRF200B211，國內(nèi)庫存當(dāng)天發(fā)貨，國外庫存7-10天內(nèi)發(fā)貨。

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